摘要: 本发明提供CsZn2B3O7化学物、CsZn2B3O7非线性光学晶体及其制备方法和用途,涉及非线性光学晶体材料领域。该化合物采用固相反应法制备。CsZn2B3O7晶体不含对称中心,属于正交晶系Cmc21空间群,晶胞参数为Z=12。
该CsZn2B3O7非线性光学晶体可以采用助熔剂法制备其厘米级单晶。CsZn2B3O7非线性光学晶体的倍频转换效率约为KH2PO4晶体的1.5倍,其紫外吸收截止边约为218nm。
CsZn2B3O7晶体物理化学性质稳定、硬度适中,易于切割、加工、保存和使用。可用于制作非线性光学器件,开拓紫外波段的非线性光学应用。
| 专利名称 | CsZn2B3O7化合物、CsZn2B3O7非线性光学晶体及其制法和用途 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201310493310.7 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2013-10-21 |
| 专利授权日期 | 2017-10-03 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 罗军华;赵三根 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明提供CsZn2B3O7化学物、CsZn2B3O7非线性光学晶体及其制备方法和用途,涉及非线性光学晶体材料领域;该化合物采用固相反应法制备;CsZn2B3O7晶体不含对称中心,属于正交晶系Cmc21空间群,晶胞参数为Z=12;,该CsZn2B3O7非线性光学晶体可以采用助熔剂法制备其厘米级单晶;CsZn2B3O7非线性光学晶体的倍频转换效率约为KH2PO4晶体的1.5倍,其紫外吸收截止边约为218nm;CsZn2B3O7晶体物理化学性质稳定、硬度适中,易于切割、加工、保存和使用,可用于制作非线性光学器件,开拓紫外波段的非线性光学应用。 | ||