本发明公开了一种透明热电模块的制备方法,属于功能材料及器件领域。
本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积技术,在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面,淀积P-CuCr1-xMgxO2薄膜。在此过程中,使用镍掩膜板Ⅰ来遮挡衬底表面。
接着,将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°,保持镍掩膜板Ⅰ的位置不变,再次使用脉冲激光沉积技术,在单晶衬底的另一表面淀积N-Zn1-yAlyO薄膜。
最后,采用离子溅射技术在单晶衬底的边缘两侧制备金电极,同样使用镍掩膜板Ⅱ来遮挡衬底的边缘两侧。
本发明制备得到的透明热电模块,其中P-CuCr1-xMgxO2和N-Zn1-yAlyO薄膜呈X形交叉分布,且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。
与现有薄膜热电模块相比,本发明在单位面积上的输出功率增大,衬底和电极材料用量减少,且模块在可见光波段透过率高,肉眼观察为透明。
| 专利名称 | 一种透明热电模块的制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201611164364.9 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-12-16 |
| 专利授权日期 | 2017-05-31 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 虞澜;宋世金;刘安安;胡建力;刘丹丹;樊堃;崔凯 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种透明热电模块的制备方法,属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜,淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面;然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°,镍掩膜板Ⅰ位置不变,用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜;最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极,淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布,且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大,衬底和电极材料用量减少,模块在可见光波段透过率高,肉眼观察为透明。 | ||