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简介
本发明涉及一种双色铟镓砷（InGaAs）红外探测器。该探测器是在铟磷（InP）衬底上依次生长有InX Ga1-X As材料的光导层和绝缘层，用于探测3-5μm红外线波。同时，还包含适合探测1-3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。
所述的红外探测器的制备方法如下：首先，使用金属有机气相淀积技术在InP衬底上生长InGaAs材料，制备出对1-3μm、3-5μm两个波段同时探测的红外外延片。然后，利用该外延片制造出两个波段的红外探测器。
该红外探测器可用于制备多方向测量红外信号器件。
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原文)
技术标签
专利基本信息
| 专利名称 | 双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号（申请号） | CN200610034286.0 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2006-03-15 |
| 专利授权日期 | - | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 非专利 |
| 发明人 | 孙慧卿;范广涵;郭志友 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器，是在铟磷((InP)衬底上依次生长有InXGa1－XAs材料的适合探测3－5μm红外线波的光导层、绝缘层，适合探测1－3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。所述的红外探测器的制备方法是用金属有机气相淀积技术在InP衬底上生长InGaAs材料，制备一种对1－3μm、3－5μm两个波段同时探测的红外外延片，再用该外延片制造两个波段的红外探测器。该红外探测器可以用于制备多方向测量红外信号器件。 | ||
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