一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途

本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括：

• AlGaN/GaN基底
• 帽层金属层
• TixAly合金层

其中，x > 0，y > 0。

所述方法采用以下步骤：

1. 采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形。
2. 在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层。
3. 去除光刻胶。
4. 进行剥离处理。
5. 对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。

本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过以下步骤实现：

1. 在AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极。

本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。

本发明涉及一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途，所述电极由下而上依次包括AlGaN/GaN基底、帽层金属层和TixAly合金层，其中，x＞0，y＞0。所述方法采用光刻技术在AlGaN层上定义漏极和/或源极图形，然后在AlGaN表面依次沉积TixAly合金和帽层金属层，去除光刻胶，进行剥离处理，再对剥离后的样品进行热处理，得到所述的AlGaN/GaN欧姆接触电极。本发明同时还提供一种降低AlGaN/GaN基底与电极之间欧姆接触的方法，通过AlGaN/GaN基底表面沉积TixAly合金层作为电极而实现。本发明提供的欧姆接触电极，达到射频器件的制备标准，同时提高器件的稳定性和可靠性。