集成电路、半导体器件芯片加工

项目介绍：

前工艺线是由进口仪器设备装备的半导体集成电路及器件芯片加工生产线。可从事双极电路、CMOS电路、功率器件（有结型场效应器件）的加工，月生产能力为4英寸片5000片。

该生产线于1998年4月通过了ISO9002质量体系认证，生产过程采用SPC统计技术进行控制。

双极电路加工生产： - 具有完整的双极电路加工生产的全部工艺：光刻、埋层扩散、外延、隔离、磷穿透、基区离子注入、发射区扩散、电子束蒸（或溅射）铝、表面钝化、功能测试等。 - 可根据用户需要进行电路版图设计，也可由用户设计，代用户加工生产。 - 电路版图设计的主要要求如下： - 最细线宽：≥5μm； - 套刻间距：2μm； - 引线孔：≥4×4μm； - 铝线宽度：≥8μm； - 铝线间距：≥4μm。 - 该生产线可批量加工生产双极开关电路、模拟电路、数模混合电路、高压（60V～90V）双极电路等。

CMOS电路加工生产： - 具有完整的CMOS电路加工生产的全部工艺：光刻、P阱或N阱、离子注入、Si3N4、多晶硅、RIE、扩散氧化、电子束蒸AL（或溅射Al-Si）、表面钝化、功能测试等。 - 可根据用户需要进行电路及版图设计，也可由用户设计，代用户加工生产。 - 版图设计的主要要求如下： - 最细线宽：≥4μm； - 套刻间距：2μm； - 引线孔：≥4×4μm； - 铝线宽度：≥8μm； - 铝线间距：≥4μm。 - 该生产线可批量加工生产硅栅或铝栅的数字电路、模拟电路、低压低耗电路等。

功率器件加工生产： - 具有完整的VDMOS、TGBT等中小功率及大功率器件，加工生产的全部工艺：外延、光刻、RIE、离子注入、氧化扩散、减薄、背面金属化、功能测试等。 - 可根据用户要求进行版图设计及加工生产，也可按用户设计进行批量加工生产。

结型场效应晶体管（JFET）加工生产： - 具有完整的JFET加工生产的全部工艺及参数控制检测方法；外延、光刻、扩散、氧化、RIE，减薄、背面金属化，Vp调节及控制软件等。 - 可根据用户提出的参数要求进行版图设计及加工生产，也可按用户设计进行加工生产。

项目介绍：前工艺线是由进口仪器设备装备的半导体集成电路及器件芯片加工生产线。可从事双极电路、CMOS电路、功率器件有结型场效应器件的加工，月生产能力为4英寸片5000片。该生产线于1998年4月通过了ISO9002质量体系认证，生产过程采用SPC统计技术进行控制。双极电路加工生产：具有完整的双极电路加工生产的全部工艺：光刻、埋层扩散、外延、隔离、磷穿透、基区离子注入、发射区扩散、电子束蒸（或溅射）铝、表面钝化、功能测试等。可根据用户需要进行电路版图设计，也可由用户设计，代用户加工生产。电路版图设计的主要要求如下：最细线宽：≥5μm；套刻间距：2μm；引线孔：≥4×4μm<'2>；铝线宽度：≥8μm；铝线间距：≥4μm。该生产线可批量加工生产双极开关电路、模拟电路、数模混合电路、高压(60V￣90V)双极电路等。CMOS电路加工生产：具有完整的CMOS电路加工生产的全部工艺：光刻、P阱或N阱、离子注入、Si<,3>N<,4>、多晶硅、RIE、扩散氧化、电子束蒸AL（或溅射Al-Si）、表面钝化、功能测试等。可根据用户需要进行电路及版图设计，也可由用户设计，代用户加工生产，版图设计的主要要求如下：最细线宽：≥4μm；套刻间距：2μm；引线孔：≥4×4μm<'2>；铝线宽度：≥8μm；铝线间距：≥4μm。该生产线可批量加工生产硅栅或铝栅的数字电路，模拟电路，低压低耗电路等。功率器件加工生产：具有完整的VDMOS、TGBT等中小功率及大功率器件，加工生产的全部工艺：外延、光刻、RIE、离子注入、氧化扩散、减薄、背面金属化、功能测试等。可根据用户要求进行版图设计及加工生产，也可按用户设计进行批量加工生产。结型场效应晶体管(JFET)加工生产：具有完整的JFET加工生产的全部工艺及参数控制检测方法；外延、光刻、扩散、氧化、RIE，减薄、背面金属化，Vp调节及控制软件等。可根据用户提出的参数要求进行版图设计及加工生产，也可按用户设计进行加工生产。