一种金属酞菁纳米线的制备方法

本发明揭示了一种制备生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的方法，其特征在于包括以下步骤：

I. 以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料，将所述原料取料与衬底一并置入容器中，以备加热生长。

II. 在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气，并保持腔内压强为6×10^-2 Pa。对所述容器实施加热，使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min。随后，随容器冷却至常温，在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。

应用本发明方法制备的单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线，工艺简单易行、成本低，且酞菁纳米线与硅衬底接触良好。这为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供了可能。

本发明揭示了一种生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的制备方法，其特征在于包括步骤：I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料，将所述原料取料与衬底一并置入容器中以备加热生长；II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10-2Pa，对所述容器实施加热，使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min后随容器冷却至常温，在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。应用本发明方法制备单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线，工艺简单易行、成本低，酞菁纳米线与硅衬底接触良好，为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供可能。