基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法

摘要：

本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法。首先，制备ZnO薄膜光导型紫外探测器。接着，在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀、结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜。这一步骤为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。

在本发明中，中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层，将中子转化成α粒子。随后，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线。最终，利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测这些紫外线，从而实现中子探测。

摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。