InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法

InN材料作衬底或缓冲层，用于制备InN/锗或InN/硅薄膜。 首先，InN材料作为衬底或缓冲层，并在其上制备InN/锗或InN/硅薄膜。 其次，InN材料缓冲层的厚度需在100纳米以上。 然后，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。

本发明在200－1150℃的生长温度范围内，采用以下生长技术之一：MOCVD、CVD、HVPE或MBE，以生长InN/锗或InN/硅薄膜。

利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比（9%）以及带隙的细微差别（40meV），可以得到异质结构。

这种异质结构具有许多优点，可用于生产异质结双极型晶体管（HBTs）以及红外光探测器。

InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。