基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法

摘要： 本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极以及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层。具体而言，阻变功能复合层由以下部分构成：第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层，以及位于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层。底电极和顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层和第二有机聚合物薄膜层层叠连接。

本发明提供的阻变存储器具有以下特点：重复性高、器件性能稳定、响应速度快。因此，该存储器适用于高度集成的大容量存储器领域。

摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。