基于梯型寡聚芴的咔唑类梯型聚苯的热稳定、高迁移率非掺杂有机激光材料及其制备和应用

本发明属于有机光电材料技术领域。

本发明公开了一种基于梯型寡聚芴的咔唑类梯型聚苯的有机半导体材料及其制备和应用。

所述有机半导体材料是以梯型聚苯为中间母体，以咔唑为端基的聚合物材料。

所述有机半导体材料是由梯型聚苯与咔唑通过乌尔曼偶联反应制备得到。

所述有机半导体材料具有有机非掺杂固态激光性质，可作为增益介质，用于有机非掺杂固态激光器件、有机发光二极管器件中。

本发明提供的基于梯型寡聚芴双咔唑梯型聚苯具有以下优点：

• 较高的迁移率；
• 良好的热、化学稳定性；
• 较好的发光量子效率；
• 超低的ASE阈值；
• 制备加工工艺简单；
• 大的光吸收截面；
• 合成产率高等。

本发明属于有机光电材料技术领域。本发明公开了一种基于梯型寡聚芴的咔唑类梯型聚苯的有机半导体材料及其制备和应用。所述有机半导体材料是以梯型聚苯为中间母体，以咔唑为端基的聚合物材料。所述有机半导体材料是由梯型聚苯与咔唑通过乌尔曼偶联反应制备得到。所述有机半导体材料具有有机非掺杂固态激光性质，可作为增益介质，用于有机非掺杂固态激光器件、有机发光二极管器件中。本发明提供的基于梯型寡聚芴双咔唑梯型聚苯具有：较高的迁移率；良好的热、化学稳定性；较好的发光量子效率；超低的ASE阈值；制备加工工艺简单；大的光吸收截面；合成产率高等优点。