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一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-07-04

专利所属地 :中国

专利号:CN201710539077.X

应用领域:专用仪器仪表制造

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法。

包括以下部分: - 硅基底 - 四个弹性固支梁 - 中间的振子

沿硅基底长度方向的两根导线分别布置在振子两侧的固支梁上。

芯片底部外加磁铁用于提供恒定磁场,磁感线方向垂直于芯片平面。

将其中一根导线通入一定频率的正弦交变电流,则这根导线所在的固支梁受交变洛伦兹力作用做面内振动,从而带动振子和另外一侧固支梁做受迫振动。

则另外一根导线切割磁感线而产生感应电动势。

将H型硅微双端固支梁结构浸入被测流体中,改变正弦交变电流的频率使得固支梁发生谐振。

根据感应电动势的输出幅值大小可获得固支梁在被测流体中的谐振频率。

通过在不同流体中固支梁谐振频率的改变来实现流体密度的测量。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710539077.X
申请号 - 专利申请日期 2017-07-04
专利授权日期 2017-10-20 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 赵立波;胡英杰;黄琳雅;李支康;赵玉龙;蒋庄德
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法,包括硅基底、四个弹性固支梁和中间的振子,沿硅基底长度方向的两根导线分别布置在振子两侧的固支梁上。芯片底部外加磁铁用于提供恒定磁场,磁感线方向垂直于芯片平面,将其中一根导线通入一定频率的正弦交变电流,则这根导线所在的固支梁受交变洛伦兹力作用做面内振动,从而带动振子和另外一侧固支梁做受迫振动,则另外一根导线切割磁感线而产生感应电动势。将H型硅微双端固支梁结构浸入被测流体中,改变正弦交变电流的频率使得固支梁发生谐振,根据感应电动势的输出幅值大小可获得固支梁在被测流体中的谐振频率,通过在不同流体中固支梁谐振频率的改变来实现流体密度的测量。
成果评价分析
技术应用分析
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