一种基于GaN衬底的Fe₃N多晶薄膜制备方法

本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe3N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。

本发明中，采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe3N多晶薄膜。在工艺比较简单可靠的前提下，成功制备出厚度超过100纳米的Fe3N多晶薄膜。这一成果有利于Fe3N多晶薄膜的性能表征，同时也便于其大批量生产。

本发明涉及一种基于GaN衬底的Fe₃N多晶薄膜制备方法，属于磁性材料制备技术领域。本发明中采用了磁控溅射和高温氮化两步法来制备Fe₃N多晶薄膜，所以在工艺比较简单可靠的前提下制备出厚度超过100纳米的Fe₃N多晶薄膜，有利于Fe₃N多晶薄膜的性能表征以及大批量生产。