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一种高频率BSCCO-THz源

技术类型:实用新型专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2014-05-14

专利所属地 :中国

专利号:CN201420245452.1

应用领域:光学仪器制造

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本实用新型公开了一种高频率BSCCO-THz源,包括以下组件:

  1. BSCCO-THz源;
  2. 在所述的BSCCO-THz源上设有上基片;
  3. 所述的上基片通过导热胶粘贴在BSCCO-THz源的下基片上;
  4. 所述的BSCCO-THz源的BSCCO被包裹在导热胶内部。

本实用新型的高频率BSCCO-THz源具有以下特点:

  • 其BSCCO-THz源被导热胶和上下方的基片包裹着,确实有效地改善了BSCCO-THz源的导热性能;
  • 从而大大增加了其偏置电压;
  • 提高了其辐射太赫兹信号的频率;
  • 可得到1THz以上太赫兹辐射。

本实用新型有效突破了目前的技术瓶颈,填补了该部分的技术空白,具有广阔的应用前景。在BSCCO-THz源领域,本实用新型将得到广泛的应用,具有不可比拟的实用性。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种高频率BSCCO-THz源
专利状态 - 专利号(申请号) CN201420245452.1
申请号 - 专利申请日期 2014-05-14
专利授权日期 2014-11-05 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 实用新型专利
发明人 王华兵;周宪靖;嵇敏;安德越;吴培亨
权利人 -
专利摘要 本实用新型公开了一种高频率BSCCO-THz源,包括BSCCO-THz源;在所述的BSCCO-THz源上设有上基片;所述的上基片通过导热胶粘贴在BSCCO-THz源的下基片上,所述的BSCCO-THz源的BSCCO被包裹在导热胶内部。本实用新型的高频率BSCCO-THz源,其BSCCO-THz源被导热胶和上下方的基片包裹着,确实有效的改善BSCCO-THz源的导热,从而大大增加其偏置电压,提高了其辐射太赫兹信号的频率,可得到1THz以上太赫兹辐射;有效突破目前的技术瓶颈,填补该部分的技术空白,具有广阔的应用前景,在BSCCO-THz源领域将得到广泛的应用,具有不可比拟的实用性。
成果评价分析
技术应用分析
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