本实用新型公开了一种高频率BSCCO-THz源,包括以下组件:
本实用新型的高频率BSCCO-THz源具有以下特点:
本实用新型有效突破了目前的技术瓶颈,填补了该部分的技术空白,具有广阔的应用前景。在BSCCO-THz源领域,本实用新型将得到广泛的应用,具有不可比拟的实用性。
| 专利名称 | 一种高频率BSCCO-THz源 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201420245452.1 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2014-05-14 |
| 专利授权日期 | 2014-11-05 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 实用新型专利 |
| 发明人 | 王华兵;周宪靖;嵇敏;安德越;吴培亨 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本实用新型公开了一种高频率BSCCO-THz源,包括BSCCO-THz源;在所述的BSCCO-THz源上设有上基片;所述的上基片通过导热胶粘贴在BSCCO-THz源的下基片上,所述的BSCCO-THz源的BSCCO被包裹在导热胶内部。本实用新型的高频率BSCCO-THz源,其BSCCO-THz源被导热胶和上下方的基片包裹着,确实有效的改善BSCCO-THz源的导热,从而大大增加其偏置电压,提高了其辐射太赫兹信号的频率,可得到1THz以上太赫兹辐射;有效突破目前的技术瓶颈,填补该部分的技术空白,具有广阔的应用前景,在BSCCO-THz源领域将得到广泛的应用,具有不可比拟的实用性。 | ||