当前位置: 首页 > 科技成果列表 > 科技成果详细

一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-05-26

专利所属地 :中国

专利号:CN201710384575.1

应用领域:专用化学产品制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

了解与分析本科技成果,可查看成果概况并使用以下技术转移数智化应用工具:
成果概况
简介

本发明涉及一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法,属于工业硅技术领域。

首先,将工业硅块进行破碎,并球磨至硅粉粒度为150~200目;

接着,将硅粉中添加金属铝颗粒,混合均匀,得到混合物料;

然后,将得到的混合物料加热到1300~1400℃,从顶部吹入流速为500mL/min的高纯Ar,进行硅铝熔液合金化,持续20~30分钟;

经硅铝熔液合金化后,保持温度不变,从顶部吹入氩气和氧气的混合气体进行精炼,持续2~4小时后停止通气,完成吹气精炼过程;

吹气精炼过程完成后,停止加热,由底部通入1000mL/min的Ar保护气体,待炉内降至室温后取出坩埚;

将样品表面的渣层分离后,得到硅块;

将得到的硅块进行破碎,用盐酸清洗硅中的残铝,最后得到精炼后的硅粉。

本发明通过向工业硅中添加铝,并通过吹氧精炼,实现了高效去除工业硅中硼杂质的目的。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710384575.1
申请号 - 专利申请日期 2017-05-26
专利授权日期 2017-11-07 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 伍继君;杨鼎;马文会;魏奎先;雷云;谢克强;秦博;李绍元;戴永年
权利人 -
专利摘要 本发明涉及一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法,属于工业硅技术领域。首先将工业硅块进行破碎,并球磨至硅粉粒度为150~200目;将硅粉中添加金属铝颗粒混合均匀得到混合物料;将得到的混合物料加热到1300~1400℃,从顶部吹入流速为500mL/min的高纯Ar,硅铝熔液合金化20~30min;经硅铝熔液合金化后,保持温度不变,从顶部吹入氩气和氧气的混合气体精炼2~4h后停止通气,完成吹气精炼过程;吹气精炼过程完成后,停止加热,由底部通入1000mL/min的Ar保护气体,待炉内降至室温后取出坩埚,将样品表面的渣层分离后得到硅块;将得到的硅块进行破碎用盐酸清洗硅中的残铝,最后得到精炼后的硅粉。本发明向工业硅中添加铝,通过吹氧精炼,高效去除工业硅中硼杂质。
成果评价分析
技术应用分析
服务案例
Baidu
map