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一种表面等离子体 慢光波导

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2015-01-23

专利所属地 :中国

专利号:CN201510035084.7

应用领域:光学仪器制造

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明介绍了一种表面等离子体慢光波导。其金属基底由上下两块组成,而介质光栅的栅条则分别在上、下两端与这些金属基底通过加载介质层进行连接。

在介质光栅的设计中,栅条的宽度a和间距b均保持相等,且各栅条的高度从一端向另一端以相同的增幅2dh逐渐递增,确保最少有4根栅条。栅条之间可以是空气或真空。在此结构中,最优的金属基底材料是银,介质光栅采用硅材料,而加载介质层则由二氧化硅构成。

该发明使得表面等离子体的传输损耗大幅下降,在一定范围内,该波导同时具备了传播速度小和损耗小的双重优势。上下金属基底包围介质光栅,使得场被有效约束在栅条中,从而获得了极强场的约束性。此外,该结构还实现了损耗低、约束性强以及群速度小的特点。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种表面等离子体慢光波导
专利状态 - 专利号(申请号) CN201510035084.7
申请号 - 专利申请日期 2015-01-23
专利授权日期 2017-06-27 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 陈辉;陈佳佳;陈明
权利人 -
专利摘要 本发明为一种表面等离子体慢光波导,金属基底为上下两块,介质光栅的栅条上、下两端分别经加载介质层与上、下金属基底连接。介质光栅的栅条以上、下金属基底之间的水平中心线为上下对称,各栅条的宽度a相等、间距b相等,栅条的高度由一端向另一端以相同的增幅2dh逐渐递增,最少为4根栅条。栅条之间为空气或者为真空。最优选择金属基底为银,介质光栅为硅,加载介质层为二氧化硅。本发明表面等离子体的传输损耗大幅度下降,在一定范围内同时具备传播速度小和损耗小的优势,上下金属基底包围了介质光栅,场被约束在栅条中,有极强场的约束性,同时得到损耗低、约束性强及群速度小的优势。
成果评价分析
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