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成果概况
简介
该技术针对半导体生产中常见的表面损伤和薄膜应力这两类问题,利用X射线双晶衍射技术,并且结合化学腐蚀剥层技术,建立了一整套常规测定Si片损伤程度、损伤层厚度以及Si片上外延薄膜中应力的测试方法。
关键技术:
(1)X射线双晶衍射半峰宽法半定量测定Si片表面损伤情况,具有灵敏度好、无损性的特点。
(2)结合化学腐蚀剥层技术定量测定Si片表面损伤层厚度,测定弹性畸变层。
(3)X射线双晶衍射测衬底弯曲法,测定了Si片表面介质膜应力,具有精度高、可测曲率半径大和无损性的特点。
该技术针对半导体生产中常见的表面损伤和薄膜应力这两类问题,利用X射线双晶衍射技术,并且结合化学腐蚀剥层技术,建立了一整套常规测定Si片损伤程度,损伤层厚度以及Si片上外延薄膜中应务的测试方法。关键技术(1)X射线双晶衍射半峰宽法半定量测定Si片表面损伤情况,具有灵敏度好、无损性的特点。(2)结合化学腐蚀剥层技术定量测定Si片表面损伤层厚度。测定弹性畸变层。(3)X射线双晶衍射测衬底弯曲法,测定了Si片表面介质膜应力,具有精度高、可测曲率半径大和无损性的特点。
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原文)
专利基本信息
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专利号(申请号) |
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专利申请日期 |
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专利权届满日 |
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