一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法

一种提高ZnO2N薄膜迁移率和稳定性的方法，具体步骤如下：

1. 采用三明治结构的ZnO2N薄膜，其中三明治结构的基底上夹层为富氮ZnO2N薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnO2N薄膜。

2. 使用反应射频磁控溅射技术制备三明治结构的ZnO2N薄膜。

3. 以纯度为99.999%的锌靶作为溅射靶材。

4. 在生长ZnO2N薄膜之前，对高纯锌靶材进行氩离子束预溅射，持续时间为5-15分钟。

5. 通过两步反应射频磁控溅射生长方法实现薄膜的制备：

   • 第一步：生长制备非晶富氮ZnO2N薄膜。
   • 第二步：制备富氧ZnO2N多晶薄膜。

6. 通过减小薄膜体内和晶界缺陷密度，最终得到具有高迁移率和高稳定性的ZnO2N薄膜材料。

一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结构的ZnON薄膜，以纯度为99.999％的锌靶为溅射靶材，生长ZnON薄膜前对高纯锌靶材利用氩离子束预溅射5-15分钟；通过两步反应射频磁控溅射生长的方法，第一步生长制备的非晶富氮ZnON薄膜；第二步制备富氧ZnON多晶薄膜；减小了薄膜体内和晶界缺陷密度，从而得到具有高迁移率、高稳定性的ZnON薄膜材料。