GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法

项目简介：

GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为：

• 衬底
• 低温缓冲层
• n型掺杂的GaN层
• 3～5个InGaN/GaN多量子阱
• p型掺杂的AlGaN层
• p型掺杂的GaN层
• 5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层
• p型欧姆接触层
• 在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层

制备方法包括：

1. 将衬底装入反应室热处理。
2. 依次生长GaN缓冲层、n型掺硅GaN层。
3. 3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱。
4. p型掺Mg的AlGaN层。
5. p型掺Mg的GaN层。
6. 5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层。

外延生长完成后进行退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。

项目简介：

　GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。