一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法

本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积方法，具体步骤如下：

1. 首先选取与芯片（4）厚度一致的基片（1）。

2. 在基片（1）上沉积硬掩膜层（2）和光刻胶（3）。

3. 用芯片（4）作为掩膜，光刻出中央开口的图形。

4. 腐蚀形成第一通孔（6），深刻蚀得到第二通孔（7）。

5. 接着将光刻胶（3）和硬掩膜层（2）去除，得到甩胶套（8）。

6. 然后将芯片（4）放入甩胶套（8）的第二通孔（7）。

7. 将甩胶套（8）固定在支撑薄膜（9）上。

8. 支持薄膜（9）固定在甩胶机上。

9. 将光刻胶（10）滴在芯片（4）表面进行甩胶。

10. 得到芯片表面厚度均匀的光刻胶（11）。

该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。

本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。