摘要:
本发明涉及有机硅合成领域,旨在解决六元二硅二氧杂环化合物在合成中存在的问题。为此,本发明提出了一种六元二硅二氧杂环化合物的制备方法。该方法以结构式如(I)所示的二烷基二硅氧烷为原料,与催化剂前体、氢气受体在反应介质中,惰性气体保护下进行反应。反应条件为90-120℃,反应时间为3-24小时。通过此方法,可以分离出产物,即一种六元二硅二氧杂环化合物。
该方法对含有不同位置及性质取代基的底物均具有较好的适应性,可以较好产率获得系列六元二硅二氧杂环化合物。
| 专利名称 | 一种六元二硅二氧杂环化合物的制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201710247065.X |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2017-04-16 |
| 专利授权日期 | 2017-10-03 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 崔玉明;徐利文;林燕 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及有机硅合成领域,为解决六元二硅二氧杂环化合物在合成中存在的问题,本发明提出了一种六元二硅二氧杂环化合物的制备方法,以结构式如(I)所示的二烷基二硅氧烷为原料,与催化剂前体,氢气受体,在反应介质中,惰性气体保护下于90‑120℃下反应3‑24h后分离出产物,即一种六元二硅二氧杂环化合物。该方法对含有不同位置及性质取代基的底物均具有较好的适应性,可以较好产率获得系列六元二硅二氧杂环化合物。 | ||