一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
技术类型 ： 非专利
专利所属地 ：中国
公开号 ：CN200910236304.7
技术成熟度 ：可规模生产
发布时间：-
转让方式 ：-
交易价格：面议
应用领域 ：新材料
技术领域 ：电池制造
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专利基本信息
| 专利名称 | |||
| 专利状态 | 公开号 | CN200910236304.7 | |
| 申请号 | 专利申请日期 | ||
| 专利授权日期 | 专利权届满日 | ||
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 非专利 |
| 发明人 | |||
| 权利人 | |||
| 专利摘要 | |||
成果概况
简介
本技术属于能源材料领域。
本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质，以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和pH缓冲剂配制电沉积液，并调节pH＝1。
5-3。
5后，在搅拌条件下进行电沉积，而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于250-500℃下恒温30-180min，得到CuInS2纳米晶半导体薄膜。
本技术所提供的方法可控性强，重复好，所制备的CuInS2纳米晶半导体薄膜无杂质，适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。