摘要:
本发明公开了一种制备多孔碳的方法及多孔碳。该方法包括以下步骤:首先将碳源与活化剂混合均匀,然后烘干;接着在惰性气氛下进行碳化,最终得到多孔碳。其中,所述碳源含有N、P、B和S中的一种或多种元素。本发明采用含N、P、B、S等元素的材料作为碳源,并经过活化剂活化,制备出高比表面积的多孔碳。
由于C-N键、C-P键、C-B键和C-S键相比于C-C键键能更弱,因此活化剂会优先刻蚀N、P、B、S等杂元素及其周围的碳。这一过程有助于形成均匀的孔洞,从而提高刻蚀效率和比表面积。
| 专利名称 | 一种制备多孔碳的方法与多孔碳 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201710049825.6 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2017-01-23 |
| 专利授权日期 | 2017-05-31 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 朱才镇;韩沛;海洋;邱昭政;杨波;徐坚 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开一种制备多孔碳的方法及多孔碳,其中,方法包括步骤:将碳源与活化剂混合均匀,并烘干后,惰性气氛下碳化,得到多孔碳;其中,所述碳源含有N、P、B和S中的一种或多种元素。本发明使用一些含N、P、B、S等元素的材料作为碳源,后经过活化剂活化制备高比表面积多孔碳。由于C?N键、C?P键、C?B键和C?S键相比于C?C键键能更弱,所以活化剂会优先刻蚀N、P、B、S等杂元素及其周围的碳,从而形成均匀的孔洞,提高刻蚀效率,提高比表面积。 | ||