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一种制备多孔碳的方法与多孔碳

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-01-23

专利所属地 :中国

专利号:CN201710049825.6

应用领域:合成材料制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

摘要:

本发明公开了一种制备多孔碳的方法及多孔碳。该方法包括以下步骤:首先将碳源与活化剂混合均匀,然后烘干;接着在惰性气氛下进行碳化,最终得到多孔碳。其中,所述碳源含有N、P、B和S中的一种或多种元素。本发明采用含N、P、B、S等元素的材料作为碳源,并经过活化剂活化,制备出高比表面积的多孔碳。

由于C-N键、C-P键、C-B键和C-S键相比于C-C键键能更弱,因此活化剂会优先刻蚀N、P、B、S等杂元素及其周围的碳。这一过程有助于形成均匀的孔洞,从而提高刻蚀效率和比表面积。

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专利基本信息
专利名称 一种制备多孔碳的方法与多孔碳
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710049825.6
申请号 - 专利申请日期 2017-01-23
专利授权日期 2017-05-31 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 朱才镇;韩沛;海洋;邱昭政;杨波;徐坚
权利人 -
专利摘要 本发明公开一种制备多孔碳的方法及多孔碳,其中,方法包括步骤:将碳源与活化剂混合均匀,并烘干后,惰性气氛下碳化,得到多孔碳;其中,所述碳源含有N、P、B和S中的一种或多种元素。本发明使用一些含N、P、B、S等元素的材料作为碳源,后经过活化剂活化制备高比表面积多孔碳。由于C?N键、C?P键、C?B键和C?S键相比于C?C键键能更弱,所以活化剂会优先刻蚀N、P、B、S等杂元素及其周围的碳,从而形成均匀的孔洞,提高刻蚀效率,提高比表面积。
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