水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法

本发明提供了一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下：

1. 水溶性钼源前驱体的制备：

   • 将一定量的MoO2(ACAC)2溶解于SHCH2COOH水溶液中。
   • 加热至100℃，恒温保持1小时。
   • 逐滴加入NaOH溶液，调节pH至11.0。

2. 表面修饰片层二硫化钼材料的制备：

   • 将一定量的Na2S与上述溶液混合。
   • 转移至高温反应釜中进行反应。

3. 纯化：

   • 将反应得到的溶液进行透析，持续一段时间。
   • 得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米材料。

本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。

本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。