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一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-06-07

专利所属地 :中国

专利号:CN201710421123.6

应用领域:专用化学产品制造

技术领域:电子信息

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器,其结构包括以下部分:

  1. 单晶基片:采用c轴斜切的单晶基片,其c轴斜切角度为0°<θ<30°。
  2. 原子层热电堆薄膜:沿c轴倾斜外延生长在单晶基片上。
  3. 铁磁性薄膜:生长在单晶基片上,并设置在原子层热电堆薄膜的两侧。
  4. 吸收层:覆盖在原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜和金属电极上。
  5. 封装层:覆盖在吸收层上。
  6. 金属电极:设置在原子层热电堆薄膜的上表面,相对中心位置对称,通过导线与电压表输入端连接。

该探测器具有以下优点:

  1. 体积小。
  2. 响应电压峰值大。
  3. 灵敏度高。
  4. 响应时间快。
  5. 能实现宽光谱探测和热辐射探测。
(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710421123.6
申请号 - 专利申请日期 2017-06-07
专利授权日期 2017-09-22 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 宋世金;虞澜;刘安安;胡建力;黄杰;崔凯
权利人 -
专利摘要 本发明公开一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器,结构中包括单晶基片、原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜、吸收层、封装层、金属电极,单晶基片为c轴斜切的单晶基片,单晶基片的c轴斜切角度0° <θ<30°,原子层热电堆薄膜沿c轴倾斜外延生长在单晶基片上,在原子层热电堆薄膜上表面相对中心位置对称设置两个金属电极,两个金属电极由导线与电压表输入端连接,铁磁性薄膜生长在单晶基片上并设置在原子层热电堆薄膜的两侧,吸收层覆盖在原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜和金属电极上,封装层覆盖在吸收层上;本发明探测器体积小、响应电压峰值大、灵敏度高、响应时间快,能实现宽光谱探测和热辐射探测。< td>
成果评价分析
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