一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法

摘要：

本发明公布了一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法。具体操作如下：先将SiC颗粒加入到镁合金熔体中，搅拌均匀。随后，将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置的模具中。这样，复合材料熔体便在低压脉冲磁场作用下完成完全凝固。

本发明的优点包括：

（1）绿色环保、工艺简单、操作方便、易于控制。成本和投资较少。该方法仅需对脉冲磁场的强度和合金的凝固速率进行控制。

（2）无污染。脉冲磁场不直接接触合金熔体，因此不会对熔体产生污染，也不会对环境造成污染。

摘要：本发明公布了一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法，先将SiC颗粒加入到镁合金熔体中，搅拌均匀，然后将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置的模具中，使复合材料熔体在低压脉冲磁场作用下完全凝固。本发明的优点是：（1）绿色环保、工艺简单、操作方便、易于控制，成本和投资少，该方法只需要对脉冲磁场的强度和合金的凝固速率进行控制；（2）无污染，脉冲磁场不直接接触合金熔体，不会对熔体产生污染，也不会对环境产生污染。