一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法

本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：

1. 在高阻硅衬底上，通过磁控溅射技术制备六氮五铌薄膜作为缓冲层；
2. 在真空室中，采用原位磁控溅射技术制备氮化铌薄膜。

本发明通过在高阻硅衬底上，利用磁控溅射技术制备六氮五铌薄膜作为缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能。特别是在超薄薄膜性能上，提高效果更加显著。

此外，本发明也可推广至其他基片上，以提高氮化铌薄膜的超导性能。该方法简单易行，效果明显。

本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。