第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片

一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底（GaN/sapphire），位错密度为10^7/cm^2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底（free-standing GaN substrate），厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为10^6/cm^2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形（边长5mm～20mm）氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为10^6/cm^2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。

一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；

二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；

三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；

四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；

五、高结晶度氮化镓粉体材料；

六、氮化铝衬底。