一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法

本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，具体步骤如下：

1. 利用FIB制备不同深度结构的模板；
2. 在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，并利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；
3. 采用ICP刻蚀掉胶层的残余层，同时通过设置气体流量，使胶层和衬底达到1:1的刻蚀；
4. 二次旋涂热塑性纳米压印胶，并确保其表面平整；
5. 利用ICP刻蚀胶层，直至暴露出较高结构表面，而其他位置仍被胶层保护；
6. 调整气体流量，使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；
7. 在表面沉积另外一种材料，并最终举离得到异质结构。

本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，成功避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。

本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。