一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元

摘要：

本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOI（Silicon on Insulator，绝缘体上硅）IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括以下结构：

1. p型半导体衬底
2. 隐埋氧化层
3. p埋层区
4. n型轻掺杂漂移区

在n型轻掺杂漂移区顶部两侧，嵌入以下结构：

• 第一p型阱区和n型缓冲区

在第一p型阱区的顶部，嵌入以下结构：

• n型阴极区和第一p阱欧姆接触区

在n型缓冲区的顶部，嵌入以下结构：

• 第二p型阱区和阳极短路点区

在第二p型阱区的顶部，嵌入以下结构：

• 第二p阱欧姆接触区

器件单元顶部设置有：

• 阴极金属电极和阳极金属电极

在n型阴极区的顶部，设置有：

• 第一场氧化层

在n型轻掺杂漂移区的顶部，设置有：

• 第二场氧化层

本发明通过上述结构设计，提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性。这使得器件能够适应更高压、更大电流的工作条件，并进一步改善器件的热特性。

摘要：本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区，第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区，n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区，第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区；器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极，n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层，n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压，改善了器件的纵向击穿特性，使器件能够适应更高压，更大电流的工作条件，并改善器件的热特性。