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基于超材料的太赫兹单谱信号探测器

技术类型:实用新型专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2014-09-09

专利所属地 :中国

专利号:CN201420516379.7

应用领域:其他电气机械及器材制造

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

摘要:

本实用新型公开了一种基于超材料的太赫兹单谱信号探测器,其结构自下而上依次设置有衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层、超材料层、欧姆电极和肖特基电极。其中,超材料层由具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列构成。该阵列包含一种特定的图形及其特征尺寸参数,该图形对太赫兹电磁波具有完全吸收特性。通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数,可以调控对应的电磁波吸收频段。此外,通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度,可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。

本实用新型超材料层中金属开环共振单元的波长选择性和完美吸收特性,使得探测器具有高灵敏度和高速特性。通过选择特定的金属开环共振单元结构,可以将探测器工作于太赫兹的一个特定波段。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 基于超材料的太赫兹单谱信号探测器
专利状态 - 专利号(申请号) CN201420516379.7
申请号 - 专利申请日期 2014-09-09
专利授权日期 2015-01-28 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 实用新型专利
发明人 罗俊;别业华;李维军;张新宇;佟庆;雷宇;桑红石;张天序;谢长生
权利人 -
专利摘要 本实用新型公开了一种基于超材料的太赫兹单谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极;其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数,该图形对于太赫兹电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本实用新型超材料层中金属开环共振单元的波长选择性和完美吸收特性,具有高灵敏度和高速特性,通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于太赫兹的一个特定波段。
成果评价分析
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