本发明公开了一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法。该器件在阳极-介质层界面间增加一层缓冲层,其结构从上到下依次为:金属阴极、介质层、阳极缓冲层、ITO阳极衬底。这一结构的阳极缓冲层既具有较好的绝缘性,同时也可以修饰ITO。
通过测量器件的电学性质以及相关实验数据,可以判定本器件是一个同时具备存储和整流的稳定有机二极管电存储器件。
本发明的优点包括:
| 专利名称 | 一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201510347180.5 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2015-06-19 |
| 专利授权日期 | 2015-10-14 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 仪明东;杨洁;黄维;解令海;凌海峰;王来源;胡波 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法,该器件在阳极-介质层界面间增加一层缓冲层,整个器件从上到下依次是:金属阴极、介质层、阳极缓冲层、ITO阳极衬底,这一结构的阳极缓冲层既具有较好的绝缘性,同时也可以修饰ITO。通过测量器件电学性质以及相关实验数据,可以判定本器件是一个同时具备存储和整流的稳定有机二极管电存储器件。本发明的优点是,该有机二极管存储器件同时具有存储回滞和可观的整流效应,具有大的开关比整流比,并且施加持续外在电压后也维持较好性能,同时,相比同类型器件结构易于设计,本发明产率高,具有普适性,有着重要的研究意义。 | ||