本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器,其结构如下:
包括: 1. 衬底; 2. 第一量子点探测结构; 3. 第二量子点探测结构。
所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层,构成以下叠层结构: - 第一N+中间接触层; - 第一量子点有源区; - N+公共接触层; - 第二量子点有源区; - 第二N+中间接触层。
在衬底和第一N+中间接触层之间,设有P+下接触层。在第二N+中间接触层上,设有P+上接触层。各接触层上设有对应的引出电极,所述各层依次叠合连接构成一体结构。
该探测器的五个电极和差分放大电路互连,分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流。该探测器具有以下功能: - 双色探测; - 抗可见光致盲; - 抗辐照。
| 专利名称 | 红外探测器及其制作方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 201310153381.2 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2013-04-27 |
| 专利授权日期 | - | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 任昕;杨晓杰;边历峰;黄宏娟 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层,构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+公共接触层、第二量子点有源区、第二N+中间接触层的叠层结构;在所述衬底和第一N+中间接触层之间,设有P+下接触层,在所述第二N+中间接触层上,设有P+上接触层,各接触层上设有对应的引出电极,所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连,分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流,具有双色探测、抗可见光致盲和抗辐照功能。 | ||