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红外探测器及其制作方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术许可

专利申请日:2013-04-27

专利所属地 :中国

专利号:201310153381.2

应用领域:光学仪器制造

技术领域:电子信息

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器,其结构如下:

包括: 1. 衬底; 2. 第一量子点探测结构; 3. 第二量子点探测结构。

所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层,构成以下叠层结构: - 第一N+中间接触层; - 第一量子点有源区; - N+公共接触层; - 第二量子点有源区; - 第二N+中间接触层。

在衬底和第一N+中间接触层之间,设有P+下接触层。在第二N+中间接触层上,设有P+上接触层。各接触层上设有对应的引出电极,所述各层依次叠合连接构成一体结构。

该探测器的五个电极和差分放大电路互连,分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流。该探测器具有以下功能: - 双色探测; - 抗可见光致盲; - 抗辐照。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 红外探测器及其制作方法
专利状态 - 专利号(申请号) 201310153381.2
申请号 - 专利申请日期 2013-04-27
专利授权日期 - 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 任昕;杨晓杰;边历峰;黄宏娟
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层,构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+公共接触层、第二量子点有源区、第二N+中间接触层的叠层结构;在所述衬底和第一N+中间接触层之间,设有P+下接触层,在所述第二N+中间接触层上,设有P+上接触层,各接触层上设有对应的引出电极,所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连,分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流,具有双色探测、抗可见光致盲和抗辐照功能。
成果评价分析
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