技术详细介绍
一种 CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
专利号：CN200910236304.7
发明人：徐新花；吉静；刘景军
专利摘要：本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质，以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液，并调节 pH＝1.5-3.5后，在搅拌条件下进行电沉积，而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min，得到 CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强，重复好，所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质，适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。