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专利基本信息
专利名称 一种填充6LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器
专利状态 - 专利号（申请号） CN213905378U
专利申请日期 2021-02-03 专利类型 实用新型专利
申请公布号 2021203003632 申请公布日 2021-02-03
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 叶鑫;邹继军;朱志甫;陈大洪;周青
专利权人 东华理工大学
专利摘要 一种填充6LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器,该探测器包括半绝缘GaAs衬底、SiO2钝化层、微沟槽、正面肖特基金属电极及背面欧姆金属电极,并在微沟槽内填充6LiF中子转换材料,中子入射面为正面。本实用新型在半绝缘GaAs衬底表面刻蚀微沟槽,有效增加中子转换材料及转换材料与半导体材料的接触面积,当中子照射6LiF后发生核反应产生α粒子,α粒子进入半绝缘GaAs衬底电离GaAs产生电子‑空穴对,在外加偏压产生的电场作用下电子‑空穴分别向两端定向运动,进而增加电子‑空穴对的收集效率,有效提高中子探测器的探测效率。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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