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专利基本信息
专利名称 一种超薄光学薄膜衬底硅片的清洗方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN105845554A
专利申请日期 2016-04-02 专利类型 发明专利
申请公布号 CN201610204422.X 申请公布日 2016-04-02
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 赵娇玲,贺洪波,王虎,朱美萍,崔云
专利权人 中国科学院上海光学精密机械研究所
专利摘要 一种超薄光学薄膜衬底硅片清洗方法包括步骤：用石油醚和丙酮的混合溶液超声清洗硅片表面；利用去离子水兆声清洗硅片表面；将硅片静置于添加JFC渗透剂的碱式清洗溶液中65℃～100℃水浴,清洗硅片表面,该碱式清洗溶液的体积比为NH4OH∶H2O2∶H2O＝(1％～5％)∶(10％～30％)∶1；将硅片静置于HF/HCL/H2O混合溶液中,清洗硅片表面；利用去离子水兆声清洗硅片表面；真空干燥箱烘干。本发明具有三大显著优点,清洗溶液不受管制,方便购置；每个清洗环节的温度控制到最佳状态,提高清洗效率,降低了清洗难度；碱式清洗溶液中加入JFC渗透剂,避免清洗过程中对硅片表面粗糙度的影响。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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