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专利基本信息
专利名称 一种驻极体电容式超声传感器及其制作方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN105025423A
专利申请日期 2015-06-04 专利类型 发明专利
申请公布号 CN201510301076.2 申请公布日 2015-06-04
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王小青,宁瑾,徐团伟,俞育德,魏清泉,刘文文,蒋莉娟
专利权人 中国科学院半导体研究所
专利摘要 本发明公开了一种驻极体电容式超声传感器,包括低阻衬底、驻极体材料层、绝缘层、支撑层、振动薄膜、上电极。其中,在支撑层中形成圆形或其他形状空腔二维阵列,成排、列对齐分布;在振动薄膜上沉积金属作为上电极,该上电极为图形阵列,并且与衬底空腔阵列的图形一一对应分布,彼此连接在一起。本发明利用驻极体材料提供CMUT正常工作时需要的直流电场,实现无需外加直流偏置电压的新型电容式超声传感器结构,具有低功耗、微型化、可靠性高、安全性好等优点。
专利价值评估分析
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