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专利基本信息
专利名称 一种CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN106404745A
专利申请日期 2016-11-24 专利类型 发明专利
申请公布号 CN201611047901.1 申请公布日 2016-11-24
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 邓文渊,金春水,靳京城,李春
专利权人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利摘要 本发明公开了一种CaF,2,光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法。本发明的方法包括步骤:S1,采用微区Raman光谱仪,选择Raman光谱测试模式,设定Raman光谱的测试参数,对CaF,2,光学元件的聚焦区域进行Raman光谱测试;S2,微区Raman光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数,对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试;S3,对所测CaF,2,光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试;S4,对测试结果进行分析,判断所测CaF,2,光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。本发明提供的CaF,2,光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法能提高检测的精度和准确性。
专利价值评估分析
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