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专利基本信息
专利名称 产生单中子微束的方法和装置
专利状态 - 专利号（申请号） CN1450848
专利申请日期 2002-10-23 专利类型 发明专利
申请公布号 CN02138495.9 申请公布日 2002-10-23
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 吴瑜, 余增亮, 王绍虎, 李军
专利权人 中国科学院等离子体物理研究所
专利摘要 本发明提出了产生单中子微束的方法和装置,利用一定能量的荷电粒子在穿过特殊的靶物质时可以产生中子的特点[如,11,B(p,n),11,C反应和,9,4,Be(α,n),12,C反应],在现有的荷电粒子加速装置和微束系统后面加上中子产生靶,进而获得单中子。本发明在粒子与生物体相互作用的质量、电荷、能量生物学效应的研究中有非常重要的意义。另外,由于具有定位发射单个中子的特性,其在核物理与基本粒子的研究领域也很有意义。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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