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专利基本信息
专利名称 ,GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法,
专利状态 - 专利号（申请号） CN104795461A
专利申请日期 2015-04-14 专利类型 发明专利
申请公布号 CN201510175330.9 申请公布日 2015-04-14
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 徐建星,査国伟,张立春,魏思航,倪海桥,贺振宏,牛智川
专利权人 中国科学院半导体研究所
专利摘要 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法,包括：制作光刻掩模板,共四块,该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO,2,薄膜；在SiO,2,薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO,2,薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属,剥离,形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属,剥离,在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线,完成制备。本发明通过改变偏压大小,即可影响频率共振的范围,从而调节不同频率的响应增益,所以具有可调响应频率的特性。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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