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专利基本信息
专利名称 GaN基LED器件及其制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN108110097A
专利申请日期 2018-01-15 专利类型 发明专利
申请公布号 CN201810034773.X 申请公布日 2018-01-15
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 张韵,赵璐,艾玉杰,孙莉莉,杨帅,程哲,张连,贾利芳,王军喜
专利权人 中国科学院半导体研究所
专利摘要 一种GaN基LED器件,包括:一衬底;一成核层,其制作在衬底上;一非掺杂GaN层,其制作在成核层上;一n型层,其制作在非掺杂GaN层上;一发光层,其制作在n型层上;一p型层,其制作在发光层上。本发明具有制备时间短,成本低廉的优点,可大规模制备,提高了外延材料质量和器件性能。
专利价值评估分析
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