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专利基本信息
专利名称 少层数MoS2/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法
专利状态 专利权维持 专利号（申请号） 2012101878584
专利申请日期 2012-06-08 专利类型 发明专利
申请公布号 201210187858 申请公布日 2012-06-08
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 浙江大学
专利摘要 本发明涉及少层数MoS2/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法，其步骤是：将氧化石墨烯超声分散在去离子水中，搅拌下先加入八烷基三甲基溴化铵阳离子表面活性剂，然后加入硫代钼酸铵并滴加水合肼，于95℃回流反应，使硫代钼酸铵和氧化石墨烯同时分别还原成MoS2和石墨烯，离心收集固体产物，去离子洗涤，干燥，在氮气/氢气混合气氛中热处理，得到少层数（2-4层）MoS2与石墨烯的复合纳米材料，将少层数MoS2与石墨烯复合纳米材料与乙炔黑及聚偏氟乙烯调成糊状物，涂到铜箔上滚压。本发明方法工艺简单，不消耗有机溶剂。以少层数MoS2/石墨烯复合材料为电化学贮锂复合电极，具有高电化学贮锂比容量，优异的循环性能和好的高倍率充放电特性。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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