专利基本信息
| 专利名称 | ITO衬底上无溶剂元素直接制备PbS薄膜的方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | 专利权维持 | 专利号(申请号) | 2015101914743 |
| 专利申请日期 | 2015-04-22 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 201510191474 | 申请公布日 | 2015-04-22 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | - | ||
| 专利权人 | 许昌学院 | ||
| 专利摘要 | 本发明公开在ITO衬底上无溶剂元素直接制备PbS薄膜的方法,应用硫粉的低温升华特性,在密闭的充满氮气的反应釜内,在溅射有单质铅膜的氧化铟锡导电玻璃(ITO)衬底上,在低温的条件下,元素直接反应,原位生长PbS薄膜,反应釜内充满氮气而不是任何的溶剂做反应介质。在ITO玻璃衬底上,溅射一层均匀致密的Pb膜并通过膜厚监控系统控制所溅射的Pb膜厚度。在150摄氏度左右的温度下,升华出来的硫和ITO玻璃衬底上的Pb膜发生元素直接反应并在衬底上原位生成PbS薄膜;为了防止S蒸汽遇到镀有Pb膜的ITO衬底再次冷凝成S膜而覆盖在Pb膜上阻隔后续的元素直接反应,我们将Pb膜朝下摆放并错开S源。该PbS薄膜具有独特的双层结构并紧密吸附在衬底上,是一种绿色环保制备技术。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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