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专利基本信息
专利名称 双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 2015106396100
专利申请日期 2015-09-30 专利类型 发明专利
申请公布号 201510639610 申请公布日 2015-09-30
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 厦门大学
专利摘要 双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法,涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H-SiC衬底,在N+型4H-SiC衬底上依次设有第一N-型外延吸收层和第二N型外延倍增层;从第二N型外延倍增层至第一N-型外延吸收层表面刻蚀一高度;在第二N型外延倍增层和第一N-型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层,形成P+N和P+N-两个PN结;在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层;在钝化层上设P型电极窗口,在P型电极窗口和N+型4H-SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法:对生长好的外延片进行RCA标准清洗;倾斜台面的制备;P+层的制备;氧化层的制备;电极的制备。
专利价值评估分析
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