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专利基本信息
专利名称 直流离子阱
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 2011103049406
专利申请日期 2011-09-28 专利类型 发明专利
申请公布号 201110304940 申请公布日 2011-09-28
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 厦门大学
专利摘要 直流离子阱,涉及气态离子存储装置。设有前电极、外筒、后电极和中心电极;前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接;由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁,在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压,在中心电极上施加负电压,使离子阱内形成凹形的电势场。无需使用射频电源,整体结构简单;离子存储量将由各电极的电位差和阱的尺寸大小来共同决定;通过加入合适的背景气体就能实现碰撞冷却或是动态反应装置,功能被大大加强;理论上适用于所有质量范围的离子的存储;具备了能量过滤功能;通过电极电位的控制能引导离子引出的流向。
专利价值评估分析
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