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专利基本信息
专利名称 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法
专利状态 专利权维持 专利号（申请号） 2017101180931
专利申请日期 2017-03-01 专利类型 发明专利
申请公布号 201710118093 申请公布日 2017-03-01
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 厦门大学
专利摘要 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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