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专利基本信息
专利名称 一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法
专利状态 专利权维持 专利号(申请号) 2014100698776
专利申请日期 2014-02-28 专利类型 发明专利
申请公布号 201410069877 申请公布日 2014-02-28
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 -
专利权人 淮阴师范学院
专利摘要 本发明提出了一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法。该方法以硅掺杂的n型GaAs基片作为底层,底层上预设两个电极区位,在一个电极区位的基片上,制备Co掺杂的a-C膜,在Co掺杂的a-C膜上,再采用真空热蒸发方法蒸镀Ag层;在底层上另一个电极区位的基片上直接蒸镀Ag层,从而构成具有p-n结和肖特基结的双结串联结构的光敏电阻器件。该器件不仅红光敏感、光灵敏度高、光响应速度快,具有线性的光照特性,可用作火警报警的光电开关或光功率计,而且还具有所取用的原材料价格低廉,制备工艺简洁,环保无污染等优越性。
专利价值评估分析
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