专利基本信息
| 专利名称 | 一种用激光提纯多晶硅片的方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | 专利权维持 | 专利号(申请号) | 2011102027452 |
| 专利申请日期 | 2011-07-19 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 201110202745 | 申请公布日 | 2011-07-19 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | - | ||
| 专利权人 | 厦门大学 | ||
| 专利摘要 | 一种用激光提纯多晶硅片的方法,涉及多晶硅片。提供一种效率较高、工艺简单、污染较小的用激光提纯多晶硅片的方法。将多晶硅片清洗、烘干后,放置加热平台上进行预热;用激光对预热后的多晶硅片进行辐照;使激光对多晶硅片进行辐照扫描处理;对多晶硅片进行退火处理;刻蚀多晶硅片表层部分,得到目标产品。质谱分析表明,可一次将多晶硅片中部分区域的铁含量降低2~3个数量级;提纯后可直接应用于太阳电池等应用。直接加工低纯度的多晶硅片,减少硅产业中低纯度硅的重新回收加工。可大批量连续生产。通过激光熔化硅片再凝固也可以降低多晶硅片中磷的含量。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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