专利基本信息
| 专利名称 | 一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | 专利权维持 | 专利号(申请号) | 2012101377824 |
| 专利申请日期 | 2012-05-04 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 201210137782 | 申请公布日 | 2012-05-04 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | - | ||
| 专利权人 | 厦门大学 | ||
| 专利摘要 | 一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法,涉及多晶硅材料的提纯方法。提供一种选择性高、工艺简单的熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法。Si-M合金阳极的制备,电解质预处理,电解槽组装,熔盐电解提纯多晶硅。采用真空熔炼Si-M合金,作为可溶性阳极;以复合氯化物-氧化物复合熔盐作为新型低温电解质体系;以金属、硬质合金、太阳能级多晶硅或高纯石墨作为阴极。进一步降低了电解温度和电解电压,保证了电解过程的高效、稳定、低能耗运行,对多晶硅中杂质元素B和P的高选择性提纯。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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