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专利基本信息
专利名称 基于单光子雪崩二极管探测器的快速荧光寿命成像方法
专利状态 专利申请权、专利权的转移 专利号（申请号） CN201711090809.8
专利申请日期 2017-11-08 专利类型 发明专利
申请公布号 CN108007584A 申请公布日 2018-05-08
授权公告号 CN108007584B 授权公告日 2019-10-11
发明人 李鼎,徐跃,吴仲
专利权人 南京邮电大学
专利摘要 本发明公开了基于单光子雪崩二极管探测器的快速荧光寿命成像方法，该方法利用单光子雪崩二极管作为探测器件，通过离散与混叠复用的探测窗口进行光子采样。通过蒙特卡罗仿真的原理，拟合出荧光衰减曲线，计算出荧光寿命。整个电路工作分为探测的准备阶段、探测阶段和读出阶段。在探测阶段，激光使待测样品荧光激发，利用控制SPAD的工作状态以及门控选通信号控制光子引起的雪崩脉冲的选通来实现离散与混叠混用的窗口探测，并将探测的数据记录下来。本发明利用离散与混叠复用的探测方法能够扩大时间探测窗口法的最佳探测范围，减少了探测误差。在每个像素单元集成了两个计数模块，使其在单次荧光激发后能够采样两组数据，能够有效的提高成像速度。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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