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专利基本信息
专利名称 一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN106011745B
专利申请日期 2016-06-15 专利类型 发明专利
申请公布号 2016104227511 申请公布日 2016-06-15
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 周兵;刘竹波;王志峰
专利权人 太原理工大学
专利摘要 本发明公开了一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法。该装置为离子源辅助脉冲阴极电弧装置,制备方法包括下列步骤:将预先化学清洗的硅基片烘干,放置在旋转样品台上;抽真空,通入氩气到真空室,采用离子溅射源对硅基片表面进行物理清洗;以高纯石墨作为脉冲电弧的阴极靶材,调节脉冲放电频率,同时通入氮气,打开离子源,分别制备原子化和离子化氮掺杂的非晶碳氮薄膜。本发明实现了非晶碳氮薄膜中的碳/氮原子和碳氮键/碳碳键的含量可调、碳氮键合类型和类石墨氮/类吡啶氮的结构可控。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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